SK 海力士年末量产 375 层 NAND，钼材料替代钨完成技术升级

SK 海力士将于 2026 年底量产 375 层 3D NAND 闪存，目前已完成量产验证。新品针对 AI 与企业级高端存储打造，同时完成堆叠结构与核心材料升级。

项目原定 400 层架构，因 300 层以上超高层数刻蚀难度大、量产成本高，最终下调至 375 层；海力士远期依旧规划 480 层、604 层迭代产品。产能方面，企业改造清州 M15 成熟产线，淘汰老旧低层 NAND 产能，投放 375 层高端产品，严控资本开支。

本次核心升级是以金属钼替换部分钨材质作字线。相较钨材料，钼电阻率更低，可提升芯片读写性能；且无需额外沉积垫层，既能简化工序，还能提升存储密度。缺点是钼原料常温为固态，产线需改造专属输送与加热设备，量产存在一定技术门槛。

行业竞品三星早已普及钼工艺，其 400 层级 NAND 将于 2026 年下半年上市。二者设备路线差异化：三星采用泛林半导体高精度单机设备；SK 海力士选用东京电子炉管设备，性价比更适合大批量量产。

原料端由液空、默克、安集科技供货，韩国本土企业 SK Specialty 也在协商合作。行业需求前景广阔，2030 年全球钼原料消耗量预计达 80 吨，海力士 2027 年起高端 NAND 全线导入钼材料，初期年耗 4 吨。

产业策略上，NAND 行业不再盲目扩产，和 DRAM 抢占份额的模式不同，厂商重心转向盈利修复。SK 海力士通过关停低端产能、主推高毛利 375 层高端产品，优化产品结构，降低单位成本，规避产能过剩引发的价格风险。